[实用新型]一种不对称半桥磁耦合驱动电路

摘要

本实用新型公开一种用于占空比变化范围较大场合的不对称半桥磁耦合驱动电路，由NPN型三极管和PNP型三极管集电极相连组成图腾柱输出，NPN型三极管和NPN型三极管的两端分别反并联两个相同续流二极管，图腾柱输出连接一个原边隔直电容正极端，原边隔直电容另一端连接高频隔离变压器原边，高频隔离变压器副边连接一个副边电容，副边电容正极端连接栅极输入电阻，栅极输入电阻的两端并联二极管，稳压二极管一端连接于副边电容和栅极输入电阻之间，另一端连接功率MOSFET管源极，在MOSFET管栅极和源极间连接保护电阻。输出驱动电压保持不变，不随输入信号占空比的变化而变化，结构简单，成本低廉。

主权项

一种不对称半桥磁耦合驱动电路，NPN型三极管（Tr1）集电极接正电源（Vg）、其发射极和PNP型三极管（Tr2）集电极相连，组成图腾柱输出，其特征是：NPN型三极管（Tr1）和NPN型三极管（Tr1）的两端分别反并联两个相同续流二极管（D1、D2），图腾柱输出连接一个原边隔直电容（C1）正极端，原边隔直电容（C1）另一端连接高频隔离变压器（T）原边，高频隔离变压器（T）副边连接一个副边电容（C2），副边电容（C2）正极端连接栅极输入电阻（R1），栅极输入电阻（R1）连接功率MOSFET管（Q）栅极，栅极输入电阻（R1）的两端并联二极管（D4），稳压二极管（D3）一端连接于副边电容（C2）和栅极输入电阻（R1）之间，另一端连接功率MOSFET管（Q）源极，在MOSFET管（Q）栅极和源极间连接保护电阻（R2）。