[实用新型]一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路无效
| 申请号： | 201020610015.7 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN201887743U | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张立新;邹宇彤;陈健;易扬波;周飙;李海松;张韬;胡旅顺 | 申请（专利权）人： | 无锡芯朋微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路，包括二极管、高压NMOS管、电流镜与锁存器，其中二极管包括第一二极管D1和第二二极管D2，高压NMOS管包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2，电流镜由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成，锁存器由第一反相器I1和第二反相器I2组成，这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD，地端接第二高压电位VSW，且第一高压电位HVDD的电压大于第二高压电位VSW，第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入，同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入，第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端，锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。电路结构比较简单，控制起来稳定可靠。 | ||
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【主权项】：
一种采用二极管架构的低压电平转高压电平电路，包括二极管（1）、高压NMOS管（2）、电流镜（3）与锁存器（4），其特征是：所述二极管（1）包括第一二极管D1和第二二极管D2，它们的的正端接第二高压电位VSW，负端接高压NMOS管（2）的输入端和电流镜（3）的输出端； 所述高压NMOS管（2）包括第一高压NMOS管N1和第二高压NMOS管N2，第一高压NMOS管的栅端接第一控制信号SET，第二高压NMOS管的栅端接第二控制信号CLR，两个高压NMOS管的源端接地电位VGND，两个高压NMOS管的漏端作为输入端，接第一二极管D1和第二二极管D2的负端和电流镜（3）的输出端； 所述电流镜（3）由第一PMOS管P1和第二PMOS管P2组成，第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的源端接第一高压电位HVDD，两者的栅连接在一起接到第一PMOS管P1的漏端，两者的漏端作为电流镜（3）的输出端；所述锁存器（4）由第一反相器I1和第二反相器I2组成，这两个反相器的电源端接第一高压电位HVDD，地端接第二高压电位VSW，且第一高压电位HVDD的电压大于第二高压电位VSW，第一反相器I1的输出作为第二反相器I2的输入，同时第二反相器I2的输出作为第一反相器I1的输入，第一反相器I1的输入同时接到第二二极管D2的负端和第二PMOS管P2的漏端，锁存器(4)的输出端OUT为第一反相器I1的输出端。
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