[实用新型]一种微型桥式红外测温传感器有效
申请号: | 201020617962.9 | 申请日: | 2010-11-22 |
公开(公告)号: | CN202066597U | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 王宏臣;陈文礼;甘先锋 | 申请(专利权)人: | 烟台艾睿光电科技有限公司 |
主分类号: | G01J5/12 | 分类号: | G01J5/12;H01L27/16 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 264006 山东省烟台市*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种微型桥式热电堆红外测温传感器,它采用微型桥式结构,包括硅衬底和设置在硅衬底上的微桥,微桥的传感器光敏区悬浮设置在硅衬底被刻蚀后形成的空腔之上,热电堆热端位于微桥中心区域,冷端位于硅衬底热沉之上,微桥包括由内向外依次设置的由氧化硅薄膜和氮化硅薄膜制成的支撑层、掺杂多晶硅和Al薄膜制成的Al-Si热电偶和氮化硅制成的钝化层,微桥的传感器光敏区外表面设有红外线吸收层,掺杂多晶硅和Al薄膜之间设有隔离介质层,微桥上设有刻蚀孔。本实用新型有益效果是:该传感器可以在任何CMOS集成电路代工厂加工制作,无需针对器件开发专用材料与工艺,工艺通用性好,器件成本低。此外,传感器释放采用正面光刻和干法等离子体腐蚀技术,工艺可控性好,器件成品率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 微型 红外 测温 传感器 | ||
【主权项】:
一种微型桥式红外测温传感器,其特征在于:它采用桥式结构,包括硅衬底和设置在硅衬底上的微桥,热电堆热端位于微桥中心区域,冷端位于硅衬底热沉之上,微桥的传感器光敏区悬浮设置在硅衬底被刻蚀后形成的空腔之上,微桥包括由内向外依次设置的由氧化硅薄膜和氮化硅薄膜制成的支撑层、掺杂多晶硅和Al薄膜制成的Al‑Si热电偶和氮化硅制成的钝化层,所述微桥的传感器光敏区的外表面设有红外线吸收层,所述掺杂多晶硅和Al薄膜之间设有隔离介质层,所述微桥上设有刻蚀孔。
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