[实用新型]一种改进型三极管引线框架无效
申请号: | 201020619668.1 | 申请日: | 2010-11-23 |
公开(公告)号: | CN201845766U | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 陆丽强;钟俊东 | 申请(专利权)人: | 吴江恒源金属制品有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215234 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开一种改进型三极管引线框架,包括若干个框架单元,相邻的所述的框架单元之间通过中筋和底筋相连,每个所述的框架单元包括芯片区、位于所述的芯片区的上方的散热区,所述的芯片区与所述的散热区之间设置有一圆形通孔,所述的芯片区的下方的中部向下延伸形成中间管脚,所述的中间管脚的左右两侧各设置有侧管脚,所述的中筋延伸至所述的中间管脚与两个侧管脚之间,所述的底筋延伸至所述的中间管脚与两个所述的侧管脚之间,所述的芯片区设置有方形的芯片定位区,在所述的圆形通孔与所述的芯片定位区之间设置有第一V形槽和第二V形槽,用以阻挡酸液腐蚀芯片,本实用新型的结构简单、无需外加任何的部件,适合在该行业领域内推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 三极管 引线 框架 | ||
【主权项】:
一种改进型三极管引线框架,包括若干个框架单元,相邻的所述的框架单元之间通过中筋和底筋相连,每个所述的框架单元包括芯片区、位于所述的芯片区的上方的散热区,所述的芯片区与所述的散热区之间设置有一圆形通孔,所述的芯片区的下方的中部向下延伸形成中间管脚,所述的中间管脚的左右两侧各设置有侧管脚,所述的中筋延伸至所述的中间管脚与两个侧管脚之间,所述的底筋延伸至所述的中间管脚与两个所述的侧管脚之间,其特征在于:所述的芯片区设置有方形的芯片定位区,所述的芯片定位区的四周设置有第一V形槽,所述的圆形通孔与所述的芯片定位区之间设置有第二V形槽,所述的第二V形槽的两端延伸至所述的芯片区的左右两边缘、且两端低于其他部位。
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