[实用新型]一种SF6气体绝缘试验变压器出线结构有效
申请号: | 201020625508.8 | 申请日: | 2010-11-25 |
公开(公告)号: | CN201886882U | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 殷晶辉;姜兴全;魏宏程 | 申请(专利权)人: | 中国西电电气股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/40 | 分类号: | H01F27/40;H01H33/64;H01H3/32;H01H3/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710075*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种SF6气体绝缘试验变压器出线结构,包括固定安装在绝缘试验变压器上的第一隔离开关、第二隔离开关、第一接地开关和第二接地开关;所述第一隔离开关和第一接地开关安装在高压出线套管一侧,所述第二隔离开关和第二接地开关安装在对接试验端口一侧。本实用新型接地开关与隔离开关外壳用绝缘板隔离,通过导线将接地开关与隔离开关外壳连接。在进行局放试验时,可将接地开关与隔离开关外壳连接导线分离,直接通过接地开关实现标准量注入,操作方便快捷。 | ||
搜索关键词: | 一种 sf sub 气体 绝缘 试验 变压器 出线 结构 | ||
【主权项】:
一种SF6气体绝缘试验变压器出线结构,其特征在于:包括固定安装在绝缘试验变压器上的第一隔离开关、第二隔离开关、第一接地开关和第二接地开关;所述第一隔离开关和第一接地开关安装在高压出线套管一侧,所述第二隔离开关和第二接地开关安装在对接试验端口一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国西电电气股份有限公司,未经中国西电电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201020625508.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:按键机构及其电子装置
- 下一篇:三相三柱式非晶合金铁心
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法