[实用新型]一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池无效

专利信息
申请号: 201020630730.7 申请日: 2010-11-30
公开(公告)号: CN201887049U 公开(公告)日: 2011-06-29
发明(设计)人: 高艳涛;邢国强;张斌;陶龙忠;沙泉 申请(专利权)人: 奥特斯维能源(太仓)有限公司
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/0288;H01L31/18
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 215434 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池,包括:N型单晶硅衬底、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜和氮化硅薄膜;前电极包括:局域硼扩散区、Ti/Pb薄膜和前表面金属电极;背电极包括:背表面金属电极和背表面三氧化二铝薄膜。本实用新型利用Al2O3带有固定负电荷,在N型单晶硅衬底的前表面诱导出一个P型反型层,提供前电场,由于没有硼掺杂的影响,使得电池稳定性能提高,同时降低了对短波的吸收,提高了蓝光响应,提高电池的短路电流密度,电池效率得到提升。
搜索关键词: 一种 单晶硅 衬底 pn 结反型层 电池
【主权项】:
一种N型单晶硅衬底PN结反型层电池,其特征在于:它包括:N型单晶硅衬底(1)、前电极、背电极、前表面三氧化二铝薄膜(3)和氮化硅薄膜(4);所述前电极包括:局域硼扩散区(2)、Ti/Pb薄膜(6)和前表面金属电极(7);所述背电极包括:背表面金属电极(5)和背表面三氧化二铝薄膜(8);所述 N型单晶硅衬底(1)前表面附着前表面三氧化二铝薄膜(3),前表面三氧化二铝薄膜(3)外附着氮化硅薄膜(4);N型单晶硅衬底(1)前表面上设有凹槽,凹槽内设置前电极,前电极从内而外依次设有:局域硼扩散区(2)、Ti/Pb薄膜(6)和前表面金属电极(7);N型单晶硅衬底(1)背面设有背电极,背电极中背表面三氧化二铝薄膜(8)附着于N型单晶硅衬底(1)的背表面,并且背表面三氧化二铝薄膜(8)上设有凹槽,背表面金属电极(5)穿过凹槽与N型单晶硅衬底(1)连接。
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