[实用新型]直流电弧等离子体硼掺杂金刚石膜沉积装置无效
| 申请号： | 201020632108.X | 申请日： | 2010-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN201933154U | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 吴晓波;姜龙;张瑞芹 | 申请（专利权）人： | 河北省激光研究所 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/27;H05H1/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 050081 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种直流电弧等离子体硼掺杂金刚石膜沉积装置，该装置包括硼源混合器和直流电弧等离子体炬，所述的硼源混合器通阀控气体流量计与直流电弧等离子体炬的混合气体进口或/和惰性气体进口连通。该装置带有调节装置，能够适当调整载气的流量、类型和载气与硼源蒸气的混合比例等，从而改变金刚石膜中硼的掺杂比例，得到不同导电性能的金刚石膜，适于不同需要。 | ||
| 搜索关键词： | 直流 电弧 等离子体 掺杂 金刚石 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种直流电弧等离子体硼掺杂金刚石膜沉积装置，其特征是：该装置包括硼源混合器和直流电弧等离子体炬，所述的硼源混合器通阀控气体流量计与直流电弧等离子体炬的混合气体进口或/和惰性气体进口连通。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
