[实用新型]一种用于静电吸盘边缘保护的保护装置有效
申请号: | 201020636357.6 | 申请日: | 2010-12-01 |
公开(公告)号: | CN201966193U | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 凯文·皮尔斯 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于静电吸盘边缘保护的保护装置,适用于基片尺寸小于静电吸盘的顶部介电层时,对没有基片覆盖的介电层边缘位置进行保护,包含由聚酰亚胺制成的圆板、圆环或柔性薄膜,并在真空处理腔室外、配合连接到基片外缘,使保护装置与基片的组合被一起放置到介电层上。边缘保护装置还可以是设置在基片底部的聚酰亚胺托护层,或是在静电吸盘上环绕基片设置的芳纶聚焦环。在刻蚀基片的同时,仅能刻蚀到上述保护装置,使其下方的介电层边缘位置得到有效保护,从而减少了静电吸盘的表面损耗,延长其使用寿命,有效节约生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 静电 吸盘 边缘 保护 保护装置 | ||
【主权项】:
一种用于静电吸盘边缘保护的保护装置,其特征在于,所述保护装置整体上呈现中空的环状结构,其接触于基片(40)外边缘,并与所述基片(40)一起覆盖在所述静电吸盘(50)的顶部介电层(51)上;所述保护装置的外径不小于所述介电层(51)的外径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造