[实用新型]一种发光二极管有效
申请号: | 201020650218.9 | 申请日: | 2010-12-09 |
公开(公告)号: | CN201893369U | 公开(公告)日: | 2011-07-06 |
发明(设计)人: | 吴少红 | 申请(专利权)人: | 深圳市凯信光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 王睿 |
地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种发光二极管,包括:基底、与所述基底直接连接的晶片,和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层;在所述基底的边缘,设置有围坝,在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。与现有技术相比,上述技术方案的优点在于,围坝具有更好的发光效率,有效的提高发光质量和发光效率,而且其寿命也更长,可靠性也更高。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种发光二极管,包括:基底、与所述基底直接连接的晶片,和至少两个通过绝缘层附于所述基底上的导电层;其特征在于,在所述基底的边缘,设置有围坝,在所述围坝内填有胶层以覆盖所述基底、晶片和导电层。
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