[实用新型]内嵌沟渠式井区电场屏护功率金氧半场效晶体管结构有效
| 申请号： | 201020657623.3 | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN201975392U | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德恩达维希;曾军;苏世宗 | 申请（专利权）人： | 马克斯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种内嵌沟渠式井区电场屏护功率金氧半场效晶体管结构，其由多个单位晶胞(single cell)所组成，且在单位晶胞(single cell)的各沟渠式(trench)结构下提供具有电场屏护的多个井区(junction)，进而形成可提供高崩溃电压与低漏电流的一种高可靠性组件。其中，任一单位晶胞的结构包含基板、磊晶层、第一屏护井区、第二屏护井区、基体接面、源极接面与绝缘层。借由本实用新型的金氧半场效晶体管结构，能够达到降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 式井区 电场 功率 半场 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种内嵌沟渠式井区电场屏护功率金氧半场效晶体管结构，其特征在于，该结构由多个单位晶胞所组成，且任一单位晶胞的结构包含：基板；磊晶层，设置在该基板的一侧，且该磊晶层具有闸极沟渠与源极沟渠；第一屏护井区，布植在该磊晶层中，且该第一屏护井区包覆该闸极沟渠与该源极沟渠；第二屏护井区，布植在该磊晶层中，且该第二屏护井区设置在该源极沟渠底部或包覆该源极沟渠；基体接面，设置在该第一屏护井区的一侧，且该基体接面在该源极沟渠两侧具有重掺杂区；源极接面，设置在该基体接面的一侧，且该源极接面设置在该闸极沟渠两侧；以及绝缘层，设置在该源极接面的一侧，且该绝缘层填入该闸极沟渠与该源极沟渠。
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