[实用新型]4H-SiC PN穿通型二极管器件无效
| 申请号： | 201020662862.8 | 申请日： | 2010-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN201918392U | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张发生 | 申请（专利权）人： | 中南林业科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/87 | 分类号： | H01L29/87;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410004 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种4H-SiC PN穿通型二极管器件，其特征在于，N型欧姆接触层、N+4H-SiC衬底、N-4H-SiC外延层、P+区域层和P型欧姆接触层依次层叠连接形成4H-SiC PN穿通型二极管器件本体，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层分别与阴极和阳极相接。该4H-SiC PN穿通型二极管器件的反向耐压高，正向电流与电压之间特性好，实用价值高。 | ||
| 搜索关键词： | sic pn 穿通型 二极管 器件 | ||
【主权项】：
一种4H SiC PN穿通型二极管器件，其特征在于，N型欧姆接触层、N+4H SiC衬底、N 4H SiC外延层、P+区域层和P型欧姆接触层依次层叠连接形成4H SiC PN穿通型二极管器件本体，N型欧姆接触层和P型欧姆接触层分别与阴极和阳极相接。
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