[实用新型]一种适用于汽车电子的功率MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201020663555.1 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN202025763U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 赵振华 | 申请（专利权）人： | 赵振华;无锡罗姆半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L23/495 |
| 代理公司： | 江苏英特东华律师事务所 32229 | 代理人： | 邵鋆 |
| 地址： | 214001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及了一种适用于汽车电子的功率MOS场效应晶体管，其结构包含漏电极、芯片、焊料、直径达380微米铝线、塑封料、源电极、栅电极、栅极槽、散热板、直径100~150微米铝线和引线框架，其中引线框架包含漏电极引线、源电极引线、栅电极引线、散热板引线，芯片是沟槽栅结构，其栅极槽纵向剖面结构为“U”形结构，引线框架为非对称结构，芯片面积为9.88~13.5mm2，源电极键合区面积大于栅电极键合区，塑封键槽位于散热板引线的上方，源、栅电极内部键合区局部镀有银或镍。其有益效果在于：可使产品的封装小型化、贴片化，芯片装片区面积大，电流容量大，提高了产品的抗浪涌能力，还有高耐压、大电流、沟道导通电阻较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 汽车 电子 功率 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种适用于汽车电子的功率MOS场效应晶体管，其结构包含漏电极（1）、芯片（2）、焊料（3）、铝线（4）、塑封料（5）、源电极（6）、栅电极（7）、散热板（8），其特征在于：芯片（2）是沟槽栅结构，其栅极槽（71）纵向剖面为 “U”形槽；所使用的引线框架（10）为非对称结构。
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