[实用新型]检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置无效

专利信息
申请号: 201020671384.7 申请日: 2010-12-16
公开(公告)号: CN202024942U 公开(公告)日: 2011-11-02
发明(设计)人: 介万奇;徐亚东;王涛;查钢强;何亦辉;郭榕榕 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: G01N9/24 分类号: G01N9/24;G01B11/00;G01B11/24
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 黄毅新
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置,用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置视场小的技术问题。技术方案是所述光源(1)通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端;所述载物台(6)是三维自动平移台,通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)上,并与控制电脑相连;所述物镜(7)是红外光物镜,用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上;红外CCD(8)通过同轴电缆与控制电脑相连;镜筒(4)是变焦镜筒,物镜(7)通过镜筒(4)与红外CCD(8)连接。由于采用变焦镜筒联接红外光物镜与红外CCD,扩大了检测半导体晶体中富Te相装置的视场。
搜索关键词: 检测 碲化物 半导体 晶体 te 装置
【主权项】:
一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置,包括光源(1)、镜筒(4)、载物台(6)、物镜(7)和红外CCD(8),其特征在于:还包括透镜(2)、滤光片(5)、光学隔振平台(9)和电脑,所述光源(1)是卤钨灯,通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)的一端,并通过电脑控制光源(1)的发光强度,光源(1)前置一透镜(2),改变透镜(2)与光源(1)的距离调节光线的聚焦程度;透镜(2)右边放置滤光片(5),并用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上;所述载物台(6)是三维自动平移台,位于滤光片(5)右边,通过支撑杆固定于光学隔振平台(9)上,并与控制电脑相连;所述物镜(7)是红外光物镜,位于载物台右边,并用支撑杆固定于光学隔振平台(9)上;红外CCD(8)则由支撑杆固定于光学隔振平台(9)的另一端,并通过同轴电缆与控制电脑相连,用于红外光图像的采集;镜筒(4)是变焦镜筒,物镜(7)通过镜筒(4)与红外CCD(8)连接。
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