[实用新型]绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管

摘要

一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型绝缘体上硅硅片，其中第一P型外延层右区设有P型埋层，而上方设有第二P型外延层，第二P型外延层内设有P型高能离子注入层和P型沟道区，而左侧设有N型深阱和N型漂移区，N型漂移区内设N型缓冲层和P型阳极接触区，而P型沟道区内设N型阴极接触区和P型体接触区，N型漂移区上方设有第一场氧化层和栅氧化层，并且栅氧化层向右延伸至P型沟道区的上方，栅氧化层上方设有多晶硅，作为栅极。

主权项

一种绝缘体上硅的N型横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设置有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设置有第一P型外延层(3)，在第一P型外延层(3)上方设置有第二P型外延层(5)，在第二P型外延层(5)的左侧设有N型掺杂深阱(7)，在N型掺杂深阱(7)和部分第二P型外延层(5)中设有N型掺杂漂移区(8)，在N型掺杂漂移区(8)内设有N型缓冲层(10)，在N型缓冲层(10)内设有P型掺杂阳极接触区域(11)，在第二P型外延层(5)的右侧设有P型掺杂沟道区(9)，在P型掺杂沟道区(9)中设有N型掺杂阴极接触区域(13)和P型掺杂体接触区(12)，在N型掺杂漂移区(8)的上方和部分P型掺杂沟道区(9)的上方设有第一型场氧化层(16)，在N型掺杂漂移区(8)的右上方设有栅氧化层(14)，并且栅氧化层(14)向右延伸至部分P型掺杂沟道区(9)的上方，在栅氧化层(14)的上方设有多晶硅(15)，作为器件的栅极，并且多晶硅(15)延伸至第一型场氧化层(16)上方，作为器件的栅极场板，在多晶硅(15)、第一型场氧化层(16)以及N型掺杂阴极接触区域(13)和P型掺杂体接触区(12)上方覆盖有第二型场氧化层(17)，在P型掺杂阳极接触区域(11)上连接有阳极金属电极(18)，在N型掺杂阴极接触区域(13)和P型掺杂体接触区(12)上连接有阴极金属层(19)，其特征在于在第一P型外延层(3)内的右侧设置有P型埋层(4)，在第二P型外延层(5)内的右侧设置有P型高能离子注入层(6)并且P型高能离子注入层(6)的下表面与P型埋层(4)的上表面连通，所述P型埋层(4)掺杂杂质浓度大于P型高能离子注入层(6)的掺杂杂质浓度，P型高能离子注入层(6)的掺杂杂质浓度大于P型掺杂沟道区(9)掺杂杂质浓度，P型埋层(4)左边界至少延伸至第一型场氧化层(16)的右边界的正下方区域，P型高能离子注入层(6)的左边界延伸至N型掺杂阴极接触区域(13)左边界的正下方区域。