[实用新型]具有静电损伤保护功能的发光二极管器件有效
申请号: | 201020675195.7 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN201918389U | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 周玉刚;肖国伟;李永德;许朝军;赖燃兴;姜志荣 | 申请(专利权)人: | 晶科电子(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 511458 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件,包括发光二极管芯片和倒装基板。该发光二极管芯片包括一发光区和一静电防护区。其中,该发光区包括一发光二极管,该静电防护区包括至少两个静电防护二极管,该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离。该倒装基板包括一表面绝缘的基底,及覆盖在基底表面上的金属线层。该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上,通过该倒装基板上的金属线层,该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。本实用新型的发光二极管器件具有良好的抗ESD性能,且能进行反向漏电流测试,以甄别不良品防止长期可靠性出现问题。 | ||
搜索关键词: | 具有 静电 损伤 保护 功能 发光二极管 器件 | ||
【主权项】:
一种具有静电损伤保护功能的发光二极管器件,其特征在于:包括发光二极管芯片,其包括一发光区和一静电防护区,其中,该发光区包括一发光二极管,该静电防护区包括至少两个静电防护二极管,该发光二极管和静电防护二极管通过隔离槽相互隔离;倒装基板,其包括一表面绝缘的基底,及覆盖在基底表面上的金属线层;该发光二极管芯片倒装在该倒装基板上,通过该倒装基板上的金属线层,该静电防护二极管串接然后与该发光二极管反向并联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的