[实用新型]可输出多个参量的硅电容差压传感器无效

专利信息
申请号: 201020686302.6 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN201993195U 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 张治国;李颖;刘剑;张娜;刘波;刘沁;徐秋玲;张哲;王雪冰 申请(专利权)人: 沈阳仪表科学研究院
主分类号: G01L13/06 分类号: G01L13/06;B81C1/00
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 崔红梅
地址: 110043 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 可输出多个参量的硅电容差压传感器,在传感器压力腔内,设置硅电容差压敏感单元、压力敏感单元及温度敏感单元,改变硅电容差压传感器原单一的差压输出形式,实现单一传感器测量现场的多参数测量输出;同时后部处理电路利用压力单元及温度单元提供的测量现场的压力信号和温度信号的测量值,通过数字补偿对硅电容差压单元输出的差压输出参量进行静压和温度影响的补偿处理,有效消除静压、温度等附加误差。这种传感器的综合精度,成本低,大大提高了电容传感器的性价比,对硅电容传感器的批量生产极为有利。
搜索关键词: 输出 参量 电容 传感器
【主权项】:
可输出多个参量的硅电容差压传感器,在硅电容敏感芯体管座内设置差压测量敏感元件、静压敏感元件和温度敏感元件,其特征在于将集静压、温度敏感元件为一体的压力温度传感器置于硅电容敏感芯体的烧结管座上,将各个敏感元件的输出电极分别通过硅铝丝压焊与烧结管座的对应引脚相连,并与检测电路相连,将各敏感元件封装在由金属隔离膜片隔离密封的硅油充灌液中;该传感器的两引压口分别与受压部的高压腔和低压腔相连,外加压力通过传感器内部的充灌液传递到敏感元件。
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