[实用新型]一维半导体阵列管有效
| 申请号： | 201020687194.4 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN202093179U | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘建忠;王勇;靳根;杨亚鹏;姚小丽;王晓东;陈法国;刘惠英;周彦坤;刘倍;徐园 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 030006 *** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于辐射测量技术领域，具体涉及一种用于中子辐射探测的一维半导体阵列管。其结构包括设置于电路板上的多个表面涂硼的硅半导体探测器，硅半导体探测器呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列的外部设有金属管。本实用新型完全可以代替测量中子用的一维位置灵敏3He正比计数管，而且半导体探测器的数量、尺寸都可根据不同的应用调整，在应用的灵活性方面优势明显。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 阵列 | ||
【主权项】：
一维半导体阵列管，其特征在于：包括设置于电路板(3)上的多个表面涂硼的硅半导体探测器(1)，硅半导体探测器(1)呈直线排布，组成一维半导体探测器阵列，一维半导体探测器阵列的外部设有金属管(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国辐射防护研究院，未经中国辐射防护研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201020687194.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种无人值守小型自动气象站
- 下一篇：一种电源故障显示装置
