[实用新型]离子源弧电源打坑系统有效
| 申请号： | 201020691889.X | 申请日： | 2010-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN201967234U | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 胡纯栋;蒋才超;刘胜;刘智民 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | H05H1/48 | 分类号： | H05H1/48 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种离子源弧电源打坑系统，其主要包括：弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路；由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统；阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口，用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。本实用新型大大简化控制触发脉冲的设计，不同打坑时间通过软件设置，使得整个系统的操作更加的简单，保证了对打坑时间的快速性的要求，能控制弧电源输出电流在微妙至毫秒的时间范围内被旁路20%～30%，满足了在离子源引出高压投入或打火时刻与弧电流相匹配的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 离子源 电源 系统 | ||
【主权项】：
一种离子源弧电源打坑系统，其主要包括：弧电源输出端并联的多只绝缘栅双极型晶体管和电阻组合的支路；由阶梯脉冲编码器和绝缘栅双极型晶体管触发板构成的触发系统；阶梯脉冲编码器设置有外部控制其脉冲输出的接口，用于接收离子源引出高压开通和打火时刻的信号。
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