[实用新型]一种平面矩形磁控溅射靶装置有效

专利信息
申请号: 201020692008.6 申请日: 2010-12-30
公开(公告)号: CN201924073U 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 邢丽芬;李兆廷 申请(专利权)人: 河北东旭投资集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳市智科友专利商标事务所 44241 代理人: 曲家彬
地址: 050021 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 一种平面矩形磁控溅射靶装置,上述装置的结构中包括:导磁基板、定位在导磁基板上、借助PVC隔板隔开的外围磁钢和内磁钢,以及在外围磁钢和内磁钢的上端面依次设置的铜背板和靶材,关键是:所述的外围磁钢的两个端头设置为圆弧状,在PVC隔板上增设连接在外围磁钢与内磁钢之间的导磁片。本实用新型的有益效果是:增强了靶表面的磁场均匀性,消除了“端部效应”,提高了溅射沟道深度的均匀性,消除端部拐弯处刻蚀严重的现象,增加了靶面横向刻蚀区域的宽度,相对延长了靶的寿命,使得靶材的一次利用率提高30%左右。
搜索关键词: 一种 平面 矩形 磁控溅射 装置
【主权项】:
一种平面矩形磁控溅射靶装置,上述装置的结构中包括:导磁基板(8)、定位在导磁基板(8)上、借助PVC隔板(5)隔开的外围磁钢(1)和内磁钢(3),以及在外围磁钢(1)和内磁钢(3)的上端面依次设置的铜背板(7)和靶材(6),其特征在于:所述的外围磁钢(1)的两个端头设置为圆弧状。
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