[实用新型]靶材和内磁极无效
| 申请号： | 201020695866.6 | 申请日： | 2010-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN202090051U | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 方雪冰 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；所述主体结构厚度为9～13mm，所述第二外结构厚度为6～9mm。这种靶材通过改变主体结构和第二外结构的厚度，使得靶材整体厚度降低，且厚度均匀，不易被过早击穿。同时公开了一种内磁极，用于CPA型溅射设备，所述内磁极与上述靶材适配，所述内磁极厚度为9～13mm，所述内磁极导磁率为3000～4000μ0。 | ||
| 搜索关键词： | 磁极 | ||
【主权项】：
一种靶材，用于CPA型溅射设备，所述靶材截面为工字形，包括主体结构、起固定作用的并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第一外结构以及作为靶源并沿所述主体结构分别向两侧延伸的两个第二外结构；其特征在于，所述主体结构厚度为9～13mm，所述第二外结构厚度为6～9mm。
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