[实用新型]一种外延结构的GaN基材料发光二极管有效
| 申请号： | 201020697904.1 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN201910440U | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 王立彬;李志翔 | 申请（专利权）人： | 同方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管，涉及光电技术领域。本实用新型发光二极管包括蓝宝石衬底以及依次置于蓝宝石衬底上方的N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和ITO薄膜，ITO薄膜和N-GaN层上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层。其结构特点是，所述蓝宝石衬底的上表面边沿露出一圈衬底平面。同现有技术相比，本实用新型结合外延技术，在外延过程中，使切割道部分不再外延出GaN材料，从而使蓝宝石衬底暴露出来，充分利用图形化衬底的图形，同时利用衬底与封装介质的折射率差，提高出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 结构 gan 基材 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种外延结构的GaN基材料发光二极管，它包括蓝宝石衬底(1)以及依次置于蓝宝石衬底(1)上方的N GaN层(5)、多量子阱层(6)、P GaN层(7)和ITO薄膜(8)，ITO薄膜(8)和N GaN层(5)上分别置有金属电极Cr/Pt/Au层(15)，其特征在于，所述蓝宝石衬底(1)的上表面边沿露出一圈衬底平面(16)。
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