[实用新型]一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器无效
申请号: | 201020699089.2 | 申请日: | 2010-12-31 |
公开(公告)号: | CN201918978U | 公开(公告)日: | 2011-08-03 |
发明(设计)人: | 时龙兴;柏娜;黄凯;蔡志匡;余群龄 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 汤志武 |
地址: | 210096*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器,将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH,设有一个NMOS管MN1,一个电容CL,两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器,其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接,栅极、漏极和体端连接在一起后,与PMOS管MP2的栅极相连;电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间;PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连,漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连,NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连,源极和体端接GND;反相器的电源电压接高电压域电平VddH,地线接GND,反相器的输出端为转换器的输出端Vout。采用电容型逻辑电平转换,可有效的工作在亚阈值区域。 | ||
搜索关键词: | 一种 阈值 区域 静态 功耗 电容 逻辑 电平 转换器 | ||
【主权项】:
一种亚阈值区域低静态功耗的电容型逻辑电平转换器,将低电压域电平VddL转换到高电压域电平VddH,其特征在于:设有一个NMOS管MN1,一个电容CL,两个PMOS管MP1和MP2以及一个反相器,其中PMOS管MP1的源极与低电压域电平VddL连接,栅极、漏极和体端连接在一起后,与PMOS管MP2的栅极相连;电容CL设置在PMOS管MP1栅极、漏极和体端的连接点与转换器的输入端Vin之间;PMOS管MP2的源极和体端与高电压域电平VddH相连,漏极和NMOS管MN1的漏极连接后作为反相器的输入与反相器相连,NMOS管MN1的栅极与输入端Vin相连,源极和体端接GND;反相器的电源电压接高电压域电平VddH,地线接GND,反相器的输出端为转换器的输出端Vout。
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