[发明专利]半导体用接合线有效

专利信息
申请号: 201080001021.5 申请日: 2010-02-12
公开(公告)号: CN101925992A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 宇野智裕;寺嶋晋一;山田隆;大石良;小田大造 申请(专利权)人: 新日铁高新材料株式会社;日铁新材料股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;C22C5/02;C22C5/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供可以兼备球接合性、线加工性,并能提高环路稳定性、扯拉强度、楔接合性的多层线。本发明的半导体用接合线,其特征在于,具有以Cu、Au、Ag中的1种以上的元素为主成分的芯材和在所述芯材上的以Pd为主成分的外层,在线整体中含有的总计的氢浓度为0.0001~0.008质量%的范围。
搜索关键词: 半导体 接合
【主权项】:
一种半导体用接合线,是具有以Cu、Au和Ag中的1种以上的元素为主成分的芯材和在所述芯材上的以Pd为主成分的外层的半导体用接合线,其特征在于,在所述线整体中含有的总计的氢浓度为0.0001~0.008质量%的范围。
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