[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080001394.2 | 申请日： | 2010-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102007610A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 大屋满明;横川俊哉;山田笃志;矶崎瑛宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L21/28;H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。其中，氮化物系半导体发光元件(100)，具备：以m面(12)为表面的GaN基板(10)、在GaN基板(10)的m面(12)之上形成的半导体叠层结构(20)、和在半导体叠层结构(20)之上形成的电极(30)。电极(30)包括Zn层(32)、和形成在Zn层(32)之上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层结构(20)中的p型半导体区域的表面相接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体元件，具备：氮化物半导体叠层结构，其具有表面为m面的p型半导体区域；以及电极，其形成在所述p型半导体区域的所述表面上；所述p型半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0；所述电极包括与所述p型半导体区域的所述表面相接触的Zn层和在所述Zn层之上形成的Ag层。
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