[发明专利]电阻变化元件的驱动方法以及非易失性存储装置有效
申请号: | 201080001662.0 | 申请日: | 2010-03-25 |
公开(公告)号: | CN102047422A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 村冈俊作;高木刚;三谷觉;片山幸治 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C13/00;H01L45/00;H01L49/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 具有:写入过程,将第一极性的写入电压脉冲施加到金属氧化物层(3),从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从高向低发生变化,以成为写入状态;消除过程,将与第一极性不同的第二极性的消除电压脉冲施加到金属氧化物层(3),从而使金属氧化物层(3)的电阻状态从低向高发生变化,以成为消除状态;以及初始过程,在第一次的写入过程之前,将第二极性的初始电压脉冲施加到金属氧化物层(3),从而使金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值发生变化,在金属氧化物层(3)的初始状态的电阻值为R0、写入状态的电阻值为RL、消除状态的电阻值为RH、初始电压脉冲的电压值为V0、写入电压的电压值为Vw、消除电压脉冲的电压值为Ve的情况下,满足R0>RH>RL、且满足|V0|>|Ve|≥|Vw|。 | ||
搜索关键词: | 电阻 变化 元件 驱动 方法 以及 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】:
一种电阻变化元件的驱动方法,驱动电阻变化元件,该电阻变化元件包括第一电极、第二电极以及金属氧化物,所述金属氧化物介于所述第一电极与所述第二电极之间,所述金属氧化物的电阻值按照提供到两个电极之间的电脉冲增加或减少,所述驱动方法的特征在于,所述金属氧化物由第一氧化物层和第二氧化物层层叠而构成,该第一氧化物层与所述第一电极连接,该第二氧化物层的含氧率比该第一氧化物层高,该第二氧化物层与所述第二电极连接,所述驱动方法具有:写入过程,将具有第一极性的写入电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使该金属氧化物的电阻状态从高向低发生变化,以成为写入状态;消除过程,将具有与所述第一极性不同的第二极性的消除电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使该金属氧化物的电阻状态从低向高发生变化,以成为消除状态;以及初始过程,在第一次的写入过程之前,将具有所述第二极性的初始电压脉冲施加到所述第一电极与所述第二电极之间,从而使该金属氧化物的初始状态的电阻值发生变化,在所述金属氧化物的初始状态的电阻值为R0、所述写入状态的电阻值为RL、所述消除状态的电阻值为RH、所述初始电压脉冲的电压值为V0、所述写入电压的电压值为Vw、所述消除电压脉冲的电压值为Ve的情况下,满足R0>RH>RL、且满足|V0|>|Ve|≥|Vw|。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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