[发明专利]氮化物类半导体发光元件无效
| 申请号： | 201080001806.2 | 申请日： | 2010-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102099935A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;盐谷阳平;善积祐介;秋田胜史;住友隆道;上野昌纪 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/06;H01L33/16 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 关兆辉;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板(5)；设置于基板(5)的主面(S1)的n型氮化镓类半导体区域(7)；设置于该n型氮化镓类半导体区域(7)上的单一量子阱结构的发光层(11)；及设置于发光层(11)上的p型氮化镓类半导体区域(19)。发光层(11)设置于n型氮化镓类半导体区域(7)与p型氮化镓类半导体区域(19)之间，发光层(11)包含阱层(15)与势垒层(13)及势垒层(17)，阱层(15)为InGaN，主面(S1)沿着从与六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面(S5)延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物类半导体发光元件，其特征在于，具备：基板，由六方晶系氮化镓类半导体构成；n型氮化镓类半导体区域，被设置于上述基板的主面上；单一量子阱结构的发光层，被设置于上述n型氮化镓类半导体区域上；以及p型氮化镓类半导体区域，被设置于上述发光层上，上述发光层被设置于上述n型氮化镓类半导体区域与上述p型氮化镓类半导体区域之间，上述发光层包含阱层和势垒层，上述阱层为InGaN，上述主面沿着从与上述六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上且80度以下或100度以上且117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面延伸。
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