[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080001925.8 | 申请日： | 2010-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102067348A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;藤金正树;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L21/28;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的发光装置具备：具有布线(265)的安装基板(260)以及倒装片式安装在安装基板(260)上的氮化物系半导体发光元件。氮化物系半导体发光元件(100)具备：将m面(12)作为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠结构(20)以及在半导体层叠结构(20)上形成的电极(30)。电极(30)含有Mg层(32)，Mg层(32)与半导体层叠结构(20)中的p型半导体区域的表面接触。电极(30)与布线(265)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光装置，其具备具有布线的安装基板、和倒装片式安装于所述安装基板上的氮化物系半导体发光元件，所述氮化物系半导体发光元件具备：具有表面为m面的p型半导体区域的氮化物系半导体层叠结构以及设于所述p型半导体区域上的电极，所述p型半导体区域由AlxInyGazN半导体构成，x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0，所述电极含有与所述p型半导体区域的所述表面接触的Mg层，所述电极与所述布线连接。
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