[发明专利]非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置

摘要

本发明提供非易失性存储元件和具备该非易失性存储元件的半导体存储装置。该非易失性存储装置即使在某个非易失性存储元件产生不良的情况下，也能够有效防止对于与不良的非易失性存储元件同一行或同一列的其他非易失性存储元件无法进行写入、读出。该非易失性存储元件，包括：具有非线性的电流-电压特性的电流控制元件(112)；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和电阻值比低电阻状态高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件(105)；和熔断器(103)。电流控制元件(112)、电阻变化元件(105)和熔断器(103)串联连接。熔断器(103)在电流控制元件(112)实质上成为短路状态时断开。

主权项

一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：具有非线性的电流‑电压特性的电流控制元件；基于施加的电压脉冲在低电阻状态和相比于该低电阻状态电阻值更高的高电阻状态之间可逆地转换的电阻变化元件；和熔断器，其中，所述电流控制元件、所述电阻变化元件和所述熔断器串联连接，所述熔断器在所述电流控制元件实质上成为短路状态时断开。