[发明专利]具有低微坑密度(MPD)的锗锭/晶圆和其制造系统及方法有效
| 申请号： | 201080002216.1 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102356186A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国;李晓 | 申请（专利权）人： | AXT公司 |
| 主分类号： | C30B29/08 | 分类号： | C30B29/08;C30B9/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 徐燕;杨勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于晶体生长的系统和方法，包括在已生长的锗晶体中减少微坑腔密度的特征。在一个示例实施方式中，提供了一种方法：将带有原材料的安瓿插入具有加热源的炉；使用垂直生长法生长晶体，其中实现结晶化温度梯度相对于原材料/坩埚的运动以熔化该原材料；以及，以预定晶体生长长度生长该原材料以实现单晶晶体，其中可重复地提供具有减少的微坑密度的单晶锭。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 低微 密度 mpd 制造 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种在晶体生长炉内生长单晶锗(Ge)晶体的方法，所述晶体生长炉包括一个加热源、多个加热区域、一个安瓿和一个坩埚，所述方法包括：将锗原材料装载入该坩埚；密封该坩埚和容器；将该坩埚放进具有坩埚支撑件的晶体生长炉中；熔化该坩埚中的锗原材料以生成熔体；控制该熔体的结晶化温度梯度，同时将该熔体放置为与籽晶相接触；通过所述结晶化温度梯度和/或所述坩埚的相对于彼此的运动，形成单晶锗锭；以及冷却该单晶锗锭；其中可重复地提供具有大于大约0.025/cm2且小于大约0.51/cm2的微坑密度(MPD)的单晶锗锭。
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