[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 201080002434.5 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102138224A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 鱼英株;安世源;李承允 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;汤俏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明讨论了太阳能电池及其制造方法。所述太阳能电池包括非晶硅层，并且非晶硅层中的Si-Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。所述方法包括以下步骤：在基板上形成电极，并且在氢(H2)气量与硅烷(SiH4)气体量的比例为15∶1至30∶1的氛围中在所述基板上淀积非晶硅，以在所述基板上形成非晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，该太阳能电池包括：第一电极；第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的非晶硅层，其中，所述非晶硅层中的Si‑Si键的密度是7.48×1022/cm3至9.4×1022/cm3。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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