[发明专利]III族氮化物晶体及其制造方法无效
| 申请号： | 201080002480.5 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102137961A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 上松康二;长田英树;中畑成二;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 晶体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造III族氮化物晶体的方法，所述方法包括：从III族氮化物块晶体切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底的步骤，所述主面的面取向对于选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底使得所述衬底的所述主面相互平行且各个所述衬底的[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底的所述主面上生长III族氮化物晶体的步骤。
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