[发明专利]氮化物系半导体发光器件无效
| 申请号： | 201080002596.9 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN102150288A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 京野孝史;盐谷阳平;善积祐介;秋田胜史;上野昌纪;住友隆道;足立真宽;德山慎司 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的氮化物系半导体发光器件(LE1、LD1)的特征在于，具备：氮化镓衬底(11)，其具有主面(11a)，主面(11a)与基准平面(Sc)所成的角度α在40度以上且50度以下以及大于90度且在130度以下的范围内，其中，上述基准平面(Sc)与向c轴方向延伸的基准轴(Cx)正交；n型氮化镓系半导体层(13)；第2氮化镓系半导体区域(17)；及发光层(15)，其包括阱层(21)和势垒层(23)，其中，上述阱层(21)包括多个InGaN，上述势垒层(23)包括多个GaN系半导体；并且，多个阱层(21)的压电极化的方向为从n型氮化镓系半导体层(13)朝向第2氮化镓系半导体区域(17)的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体发光器件，其特征在于，具备：GaN衬底，其包括六方晶系GaN半导体，并且具有与基准平面成有限角度的主面，其中上述基准平面与沿着该GaN半导体的c轴方向延伸的基准轴正交；n型氮化物系半导体层；p型氮化物系半导体层；和发光层，其包括交替层压的多个阱层及多个势垒层；所述主面显示半极性；所述有限角度处于40度以上且50度以下、及大于90度且130度以下的范围内；所述发光层设置于所述n型氮化物系半导体层与所述p型氮化物系半导体层之间；所述多个阱层分别包括InGaN；所述多个势垒层分别包括GaN系半导体；所述多个阱层的各自的带隙能与所述多个势垒层中同各个所述阱层相邻的势垒层的带隙能之差为0.7eV以上；所述多个阱层的各自的压电极化的方向是从所述n型氮化物系半导体层朝向所述p型氮化物系半导体层的方向。
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