[发明专利]压电体薄膜及其制造方法、喷墨头、用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件和用压电发电元件发电的方法有效
| 申请号： | 201080002741.3 | 申请日： | 2010-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102165618A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张替贵圣;足立秀明;藤井映志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;B41J2/045;B41J2/055;B41J2/16;G01C19/56;G01P9/04;H01L41/08;H01L41/18;H01L41/187;H01L41/22 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供含有无铅铁电材料的、表现出与锆钛酸铅(PZT)相同等级的高压电性能的压电体薄膜及其制造方法。本发明的压电体薄膜具备：具有(001)取向的LaNiO3膜、具有(001)取向的NaNbO3膜和具有(001)取向的(Bi，Na，Ba)TiO3膜，上述LaNiO3膜、上述NaNbO3膜和上述(Bi，Na，Ba)TiO3膜依此顺序层叠。 | ||
| 搜索关键词： | 压电 薄膜 及其 制造 方法 喷墨 形成 图像 角速度 传感器 测定 发电 元件 | ||
【主权项】：
一种压电体薄膜，其特征在于，包括：具有(001)取向的LaNiO3膜、具有(001)取向的NaNbO3膜和具有(001)取向的(Bi，Na，Ba)TiO3膜，其中所述LaNiO3膜、所述NaNbO3膜和所述(Bi，Na，Ba)TiO3膜依次层叠。
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