[发明专利]溅射靶的制造方法以及溅射靶有效

专利信息
申请号: 201080002764.4 申请日: 2010-08-10
公开(公告)号: CN102171380A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 萩原淳一郎;东秀一;神原正三 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C22F1/00;C22F1/04;C22F1/08;C22F1/18
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 代理人: 韩登营;栗涛
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于提供能够使结晶粒微细化和均匀化的溅射靶的制造方法以及溅射靶。本发明的一实施方式的溅射靶的制造方法包括:通过沿着第一轴方向(z轴方向)以及与所述第一轴方向正交的平面方向(xy平面方向)对金属的锭坯施加作用力来锻造所述锭坯的工序。通过向与平行于所述第一轴方向的方向倾斜交叉的第二轴方向(c11、c12、c21、c22轴方向)施加作用力,以对所述锭坯进一步进行锻造。所述锭坯以其再结晶温度以上的温度进行热处理。这样,能够使所述锭坯不仅在与第一轴方向以及正交的平面方向而且在第二轴方向上也产生滑动变形,因而可实现内部应力的高密度化和匀化。
搜索关键词: 溅射 制造 方法 以及
【主权项】:
一种溅射靶的制造方法,其中,通过沿着第一轴方向以及与所述第一轴方向正交的平面方向对金属的锭坯施加作用力,以对所述锭坯进行锻造,通过沿着与平行于所述第一轴方向的方向倾斜交叉的第二轴方向对所述锭坯施加作用力,以对所述锭坯进一步进行锻造,对所述锭坯以其再结晶温度以上的温度进行加热处理。
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