[发明专利]半导体布线用阻挡膜、烧结体溅射靶及溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201080003041.6 | 申请日： | 2010-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102197155A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 仙田真一郎;山越康广;伊藤顺一 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C27/04;C23C14/14;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成；及一种用于形成半导体布线用阻挡膜的烧结体溅射靶，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，其特征在于，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成，并且靶的组织包括W基质以及存在于W基质中的Ni粒子，具有W扩散到该Ni粒子中的组织。本发明的课题在于提供不依赖于溅射时的氮化反应，靶本身与阻挡膜具有相同组成，并且可以有效防止半导体器件的反应，再者溅射时不产生粉粒，特别是作为阻挡膜有用，并且在该阻挡膜形成时具有优良的特性的溅射靶及该靶的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 布线 阻挡 烧结 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体布线用阻挡膜，含有Ni，其余包含W和不可避免的杂质，具有WxNiy(70≤x≤90、10≤y≤30、单位：原子％)的组成。
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