[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法包括：使用第一注入掩模层(30)向半导体层(2)注入杂质来形成体区域(6)的工序；使用第一注入掩模层(30)和第二注入掩模层(31)来注入杂质，从而在体区域(6)内形成接触区域(7)的工序；形成第三注入掩模层(32)之后，选择性地除去第二注入掩模层(31)的工序；在第一注入掩模层(30)的侧面形成侧壁(34)的工序；和通过注入杂质，在体区域(6)内形成源极区域(8)的工序。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：使用第一注入掩模层，向第一导电型的第一半导体层注入第二导电型的杂质，从而在所述第一半导体层的表面区域形成第二导电型半导体区域的工序(a)；形成覆盖所述第一注入掩模层和所述第一半导体层且具有露出所述第二导电型半导体区域的一部分的开口的第二注入掩模层，使用所述第一注入掩模层和所述第二注入掩模层来注入第二导电型的杂质，从而在所述第二导电型半导体区域内形成具有比所述第二导电型半导体区域的杂质浓度更高的浓度的第二导电型高浓度区域的工序(b)；形成填埋所述开口的第三注入掩模层之后，选择性地除去所述第二注入掩模层的工序(c)；在所述第一注入掩模层的侧面形成第四注入掩模层的工序(d)；使用所述第一注入掩模层、所述第三注入掩模层及所述第四注入掩模层来注入第一导电型的杂质，从而在所述第二导电型半导体区域内形成第一导电型半导体区域的工序(e)；和形成与所述第一导电型半导体区域以及所述第二导电型高浓度区域接触的导电体层的工序(f)；在所述工序(e)中，按照在所述第一半导体层的任意深度处与所述第二导电型半导体区域的外周空出间隔且包围所述第二导电型高浓度区域的方式，形成第一导电型半导体区域。