[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201080003115.6 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102203936A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 冈田政也;木山诚;八重樫诚司;中田健 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8232 | 分类号： | H01L21/8232;H01L21/28;H01L21/338;H01L21/76;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/095;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/778;H01L29/ |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括对抗浪涌电压等的旁路保护单元，实现了良好的耐压特性和低的导通电阻(低导通状态电压)，具有简单结构并且用于大电流目的。在本发明中，半导体器件包括：n+型GaN衬底1，其具有与支撑衬底欧姆接触的GaN层；FET，其在第一区域R1中具有n-型GaN漂移层2；以及SBD，其具有第二区域R2中的阳极电极，阳极电极与n-型GaN漂移层2形成肖特基接触。FET和SBD并联布置。FET的漏电极D和SBD的阴极电极C形成在n+型GaN衬底1的背面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：场效应晶体管(FET)，所述场效应晶体管(FET)包括第一导电类型的漂移层，并且在具有与支撑衬底形成欧姆接触的GaN层的衬底的第一区域中构成切换元件；以及，肖特基势垒二极管(SBD)，所述肖特基势垒二极管(SBD)具有与位于所述衬底的第二区域中的第一导电类型层形成肖特基接触的电极，其中，平行布置所述FET和所述SBD，以及在所述衬底的背部形成所述FET的背面电极和所述SBD的背面电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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