[发明专利]包含含有卤素取代基的光反应性官能团的降冰片烯聚合物、该聚合物的制备方法、和使用该聚合物的取向层有效
申请号: | 201080003200.2 | 申请日: | 2010-01-12 |
公开(公告)号: | CN102216364A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 柳东雨;全成浩;崔大胜;元永喆 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | C08G61/02 | 分类号: | C08G61/02;C08G61/00;C08J5/22;G02F1/133 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 王媛;钟守期 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种光反应性降冰片烯聚合物、该聚合物的制备方法、和使用该聚合物的取向层,其中所述光反应性降冰片烯聚合物包含具有卤素取代基团、特别是氟取代基团的光反应性官能团,从而使取向层内产生组分梯度而提高取向率、取向性和粘合性。 | ||
搜索关键词: | 包含 含有 卤素 取代 光反应 官能团 冰片 聚合物 制备 方法 使用 取向 | ||
【主权项】:
1.一种包括化学式1所代表的降冰片烯单体的光反应性降冰片烯聚合物:
在所述化学式1中,p是0至4的整数;和R1、R2、R3和R4中的至少一个为选自化学式1a所代表的基团和化学式1b所代表的基团的基团;它们的剩余部分是相同的或彼此不同的并且独立地选自氢;卤素;直链的或支化的未取代的或由一个或多个选自以下的取代基基团取代的C1-C20烷基基团:卤素、烷基、烯基、炔基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、芳基、卤代芳基、芳烷基、卤代芳烷基、烷氧基、卤代烷氧基、羰氧基、卤代羰氧基、芳氧基、卤代芳氧基、甲硅烷基和甲硅烷氧基;直链的或支化的未取代的或由一个或多个选自以下的取代基基团取代的C2-C20烯基基团:卤素、烷基、烯基、炔基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、芳基、卤代芳基、芳烷基、卤代芳烷基、烷氧基、卤代烷氧基、羰氧基、卤代羰氧基、芳氧基、卤代芳氧基、甲硅烷基和甲硅烷氧基;直链的或支化的未取代的或由一个或多个选自以下的取代基基团取代的C2-C20炔基基团:卤素、烷基、烯基、炔基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、芳基、卤代芳基、芳烷基、卤代芳烷基、烷氧基、卤代烷氧基、羰氧基、卤代羰氧基、芳氧基、卤代芳氧基、甲硅烷基和甲硅烷氧基;未取代的或由一个或多个选自以下的取代基基团取代的C3-C12环烷基基团:卤素、烷基、烯基、炔基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、芳基、卤代芳基、芳烷基、卤代芳烷基、烷氧基、卤代烷氧基、羰氧基、卤代羰氧基、芳氧基、卤代芳氧基、甲硅烷基和甲硅烷氧基;未取代的或由一个或多个选自以下的取代基基团取代的C6-C40芳基基团:卤素、烷基、烯基、炔基、卤代烷基、卤代烯基、卤代炔基、芳基、卤代芳基、芳烷基、卤代芳烷基、烷氧基、卤代烷氧基、羰氧基、卤代羰氧基、芳氧基、卤代芳氧基、甲硅烷基和甲硅烷氧基;和包含氧、氮、磷、硫、硅和硼中的至少一个的极性基团;和当所述R1、R2、R3和R4均不为氢、卤素或极性基团时,R1和R2二者或R3和R4二者可彼此连接形成C1-C10亚烷基基团,或R1或R2可连接R3和R4中的一个而形成饱和的或不饱和的C4-C12脂肪环或C6-C24芳香环;和
在所述化学式1a和1b中,A是直连键、-O-、-S-或-NH-;和B选自直连键、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、羰基、羧基、酯、取代的或未取代的C6-C40亚芳基,和取代的或未取代的C6-C40亚杂芳基;和X为-O-或-S-;和R9选自直连键、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C2-C20亚烯基、取代的或未取代的C3-C12亚环烷基、取代的或未取代的C6-C40亚芳基、取代的或未取代的C7-C15亚芳基烷基、取代的或未取代的C2-C20亚炔基;和R10、R11、R12、R13和R14中的至少一个为卤素或卤素取代的C1-C20烷基;它们的剩余部分为相同的或彼此不同的并且独立选自取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C1-C20烷氧基、取代的或未取代的C6-C30芳氧基、取代的或未取代的C6-C40芳基、包含14族、15族或16族的杂原子的C6-C40杂芳基、取代的或未取代的C6-C40烷氧芳基。
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