[发明专利]用于控制离子能量分布的方法和设备有效
申请号: | 201080003206.X | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102217045A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | R·赫克曼;V·布劳克 | 申请(专利权)人: | 先进能源工业公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/205;C23C16/52;H05H1/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 美国科*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于调节等离子体室内的离子能量的系统、方法和设备。一种示范性系统包括离子能量控制部分,所述离子能量控制部分响应于至少一个指示轰击衬底的表面的离子的能量的预期分布的离子能量设置来提供至少一个离子能量控制信号。将控制器耦合至开关模式电源,所述控制器提供至少两个驱动控制信号。此外,将开关模式电源耦合至所述衬底支撑、离子能量控制部分和控制器。所述开关模式电源包括开关部件,所述开关部件被配置为响应于所述驱动信号和离子能量控制信号向衬底施加功率以实现轰击衬底的表面的离子的能量的预期分布。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 离子 能量 分布 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种基于等离子体的处理的系统,包括:被配置为容纳等离子体的等离子体处理室;置于所述等离子体处理室内部并且被设置为支撑衬底的衬底支撑;离子能量控制部分,所述离子能量控制部分响应于至少一个用于指示所述衬底的表面处的离子的能量的预期分布的离子能量设置来提供至少一个离子能量控制信号;耦合至所述离子能量控制部分的控制器,所述控制器提供一个或多个驱动控制信号;以及耦合至所述衬底支撑、所述离子能量控制部分和所述控制器的开关模式电源,所述开关模式电源包括一个或多个开关部件,所述一个或多个开关部件被配置为响应于所述一个或多个驱动信号和所述离子能量控制信号来向所述衬底施加功率,从而实现所述衬底的表面处的离子的能量的预期分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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