[发明专利]光电转换装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080003522.7 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102246316A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 西村太佑;菅原利文;西浦宪;松岛德彦;猪股洋介;有宗久雄;上杉刚志 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光电转换效率高的光电转换装置。光电转换装置(21)具备：基板(1)；设置于基板(1)上且包含金属元素的多个下部电极(2)；设置于多个下部电极(2)上且在下部电极(2)上彼此分离的包含硫属化合物半导体的多个光电转换层(33)；设置于下部电极(2)和光电转换层(33)之间、且包含上述金属元素和上述硫属化合物半导体所含有的硫属元素的金属硫属化合物层(8)；设置于光电转换层(33)上的上部电极(5)；在多个光电转换层(33)之间，未经由金属硫属化合物层(8)而将上部电极(5)和下部电极(2)电连接的连接导体(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换装置，其特征在于，具有：基板；设置于所述基板上且包含金属元素的多个下部电极；分别设置于所述多个下部电极上且包含硫属化合物半导体的多个光电转换层；分别设置于所述多个光电转换层上的多个上部电极；以及在相邻的所述光电转换层之间，将一方的所述上部电极与另一方的所述下部电极电连接的连接导体；其中，所述连接导体具有经由第一金属硫属化合物层与所述下部电极连接的第一连接部和未经由所述第一金属硫属化合物层而与所述下部电极连接的第二连接部，所述第一金属硫属化合物层包含所述金属元素及所述硫属化合物半导体所含有的硫属元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社，未经京瓷株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080003522.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多媒体流组合
- 下一篇：用于诊断和预后肾损伤和肾衰竭的方法和组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
