[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 201080003989.1 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102272893A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 若松贞次;龟崎厚治;菊池正志;神保洋介;江藤谦次;浅利伸;内田宽人 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该等离子体处理装置包括：电极法兰(4)；腔室(2)，具有内壁面(34)；绝缘法兰(31)，配置在所述电极法兰(4)与所述腔室(2)之间；基底部件(3)，具有侧面(32)，并配置在所述腔室(2)内，且载置有基板(10)；RF电源(9)，与所述电极法兰(4)连接，并施加高频电压；以及绝缘部件(41、42)，配置在与所述内壁面(34)对置的所述基底部件(3)的所述侧面(32)以及与所述基底部件(3)的侧面(32)对置的所述内壁面(34)中的至少任意一方。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：电极法兰；腔室，具有内壁面；绝缘法兰，配置在所述电极法兰与所述腔室之间；基底部件，具有侧面，并配置在所述腔室内，且载置有基板；RF电源，与所述电极法兰连接，并施加高频电压；以及绝缘部件，配置在与所述内壁面对置的所述基底部件的所述侧面以及与所述基底部件的侧面对置的所述内壁面中的至少任意一方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
