[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201080004054.5 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102272932A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 小山雅纪;福田豊 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括：具有第一半导体层(11)和形成于第一表面(11a)上的第二半导体层(12)的半导体衬底(10)；具有第一电极(20)和第二电极(21)的二极管(30)；控制焊盘(42)；与所述控制焊盘(42)电耦合的控制电极(41)；以及绝缘构件(44，46)。在所述第一半导体层(11)的第二表面(11b)上形成所述第一电极(20)。在第一表面(11a)上形成第二电极(21)。电流在第一电极(20)和第二电极(21)之间流动。控制焊盘(42)布置于第一表面(11a)上，使得所述焊盘(42)输入控制信号，用于控制注入所述第一半导体层中的载流子的量。所述绝缘构件(44，46)在所述控制电极(41)和所述第二电极(21)之间以及在所述控制电极(41)和所述半导体衬底(10)之间绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底(10)，包括具有第一导电类型的第一半导体层(11)、以及至少一个具有第二导电类型且形成于所述第一半导体层(11)的第一表面(11a)的表面部分中的第二半导体层(12)；包括第一电极(20)和第二电极(21)的二极管(30)；控制焊盘(42)；与所述控制焊盘(42)电耦合的控制电极(41)；以及绝缘构件(44，46)，其中在所述第一半导体层(11)的第二表面(11b)上形成所述第一电极(20)，其中在所述第一半导体层(11)的所述第一表面(11a)上形成所述第二电极(21)，其中电流在所述第一电极(20)和所述第二电极(21)之间流动，其中所述控制焊盘(42)布置于所述第一半导体层(11)的所述第一表面(11a)上，且所述控制焊盘(42)输入控制信号，用于控制注入所述第一半导体层(11)中的载流子的注入量，并且其中所述绝缘构件(44，46)使得所述控制电极(41)和所述第二电极(21)之间绝缘并且使得所述控制电极(41)和所述半导体衬底(10)之间绝缘。
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