[发明专利]光电转换元件、光电转换模块及光电转换元件的制造方法有效
| 申请号： | 201080004142.5 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102272938A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 宫内宏治 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电转换元件(20)，其具有：互相隔有间隔设置的第一电极层(2)及第二电极层(8)；位于第一电极层(2)上、且具有第一导电型的第一半导体层(3)；位于第一半导体层(3)上、具有第二导电型并与第一半导体层(3)pn接合的第二半导体层(4)；将第二半导体层(4)和第二电极层(8)电连接的连接部(7)；位于第二半导体层(4)上、且从连接部(7)到达第二半导体层(4)的第一端部(A)的线状电极(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 元件 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电转换元件，其具有：互相隔有间隔设置的第一电极层及第二电极层；位于所述第一电极层上、且具有第一导电型的第一半导体层；位于所述第一半导体层上、具有第二导电型并与所述第一半导体层pn接合的第二半导体层；将所述第二半导体层和所述第二电极层电连接的连接部；位于所述第二半导体层上、且从所述连接部到达所述第二半导体层的第一端部的线状电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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