[发明专利]发光和激光作用半导体装置和方法无效
| 申请号： | 201080004170.7 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102273029A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 加布里埃尔·沃尔特;尼克·霍伦亚克;米尔顿·冯 | 申请（专利权）人： | 伊利诺斯大学理事会;量子电镀光学系统有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体发光装置，其包含：异质结双极型发光晶体管，其具有位于发射极区与集极区之间的基极区；发射极电极、基极电极和集极电极，其分别用于使电信号与所述发射极区、基极区和集极区耦合；以及位于所述基极区中的量子大小区；所述基极区包含位于所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和位于所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；且所述第一和第二基极子区具有不对称带结构。还揭示一种从两端半导体结构产生光发射的方法，其包含以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包含位于第一导电类型的发射极区与同所述第一导电类型相反的第二导电类型的基极区之间的第一半导体结，和位于所述基极区与漏极区之间的第二半导体结；在所述基极区内提供展现量子大小效应的区；提供与所述发射极区耦合的发射极电极；提供与所述基极区和所述漏极区耦合的基极/漏极电极；以及相对于所述发射极电极和基极/漏极电极施加信号以从所述半导体结构获得光发射。 | ||
| 搜索关键词： | 光和 激光 作用 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于改进发光晶体管的操作的方法，其包括以下步骤：提供发光晶体管，其包含发射极、基极和集极半导体区，和所述基极区内的量子大小区，所述基极区包括所述量子大小区的发射极侧上的第一基极子区，和所述量子大小区的集极侧上的第二基极子区；以及向所述第一和第二基极子区提供不对称带结构。
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