[发明专利]用于制造电子领域中的衬底的修整方法无效
| 申请号： | 201080004332.7 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102272901A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | G·里乌 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种修整半导体衬底(1)的表面的方法，所述衬底包括一组层，所述一组层包括在所述衬底(1)的至少一个面上的半导体有用体层(4)，所述有用层(4)包括粗糙的自由表面(7)，所述方法适用于平滑该自由表面(7)，所述方法的特征在于该方法包括以下连续的步骤：形成覆盖所述有用层(4)的表面(7)的保护层(20)，该保护层(20)的厚度比所述有用层(4)的表面(7)的峰-谷距离大1到3倍；至少一个抛光-氧化序列，所述序列包括以下连续的步骤：抛光所述保护层(20)的表面(21)，调整所述抛光从而不侵袭所述有用层(4)，以及利用提供的氧气对衬底(1)进行热氧化，从而将有用层(4)的一部分转化为氧化物层(16)，从而降低所述有用层(4)的表面(7)的粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 电子 领域 中的 衬底 修整 方法 | ||
【主权项】：
一种修整半导体衬底(1)的表面的方法，所述衬底包括一组层，所述一组层包括在所述衬底(1)的至少一个面上的半导体有用体层(4)，所述有用层(4)包括粗糙的自由表面(7)，所述方法适用于平滑该自由表面(7)，所述方法的特征在于该方法包括以下连续的步骤：‑形成覆盖所述有用层(4)的表面(7)的保护层(20)，该保护层(20)的厚度比所述有用层(4)的表面(7)的峰‑谷距离大1到3倍；‑至少一个抛光‑氧化序列，所述序列包括以下连续的步骤：抛光所述保护层(20)的表面(21)，调整所述抛光以便不侵袭所述有用层(4)，以及利用提供的氧气对衬底(1)进行热氧化，从而将有用层(4)的一部分转化为氧化物层(16)，从而降低所述有用层(4)的表面(7)的粗糙度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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