[发明专利]通过用于晶圆到晶圆结合的化学机械抛光工艺来形成沟道式电容器和通孔连接的方法有效
| 申请号： | 201080004366.6 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102272904A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | J.P.埃卢尔;K.特兰;A.伯格蒙特 | 申请（专利权）人： | 马克西姆综合产品公司 |
| 主分类号： | H01L21/334 | 分类号： | H01L21/334;H01L27/06;H01L29/94;H01L21/768;H01L23/48;H01L21/60;H01L25/065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 薛峰;谭祐祥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过沉积绝缘层（26，30）和导电层（28，32）以及使用化学机械抛光来形成沟道式电容器。所述电容器连接到通孔（48）用于与其他器件集成。包括所述电容器和通孔的所述晶圆（20）结合到另一个晶圆（74）。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 用于 晶圆到晶圆 结合 化学 机械抛光 工艺 形成 沟道 电容器 连接 方法 | ||
【主权项】：
一种制造沟道式电容器的方法，包括：a）从衬底的第一表面在所述衬底中蚀刻第一沟道；b）以绝缘体涂覆所述衬底的第一表面和所述第一沟道；c）以导体涂覆所述衬底的第一表面上和所述第一沟道上的绝缘体；d）化学机械抛光所述衬底的第一表面以除去所述衬底的第一表面上的导体和绝缘体涂层，从而暴露出所述第一沟道中的绝缘体和导体涂层的边缘以提供与其的相互连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马克西姆综合产品公司，未经马克西姆综合产品公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080004366.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
