[发明专利]高级硅烷组合物和带膜的基板的制造方法有效
| 申请号： | 201080004416.0 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102282103A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;松木安生;增田贵史 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;H01L21/208;H01L21/316;C01B33/02;C01B33/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 卢曼;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下且分子量为180以下。本发明的高级硅烷组合物可以通过液相方法形成安全且具有期望膜厚的优质的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 高级 硅烷 组合 制造 方法 | ||
【主权项】：
高级硅烷组合物，其含有高级硅烷化合物和溶剂，其特征在于，上述溶剂含有环状烃，所述环状烃具有1个或2个双键，不具有烷基，仅由碳和氢构成，折射率为1.40～1.51，介电常数为3.0以下，且分子量为180以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构，未经独立行政法人科学技术振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080004416.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
