[发明专利]量子点超级电容器和电子电池无效
| 申请号： | 201080004930.4 | 申请日： | 2010-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN102282646A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | T·P·霍姆;F·B·普林兹 | 申请（专利权）人： | 利兰·斯坦福青年大学托管委员会 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种固态能量存储设备，该固态能量存储设备具有至少一个量子限制物质(QCS)，其中QCS(102)可包括量子点(QD)、量子阱或纳米线。本发明还包括：至少一个QCS纳入于其中的介电材料(104)的至少一个层；设置在介电材料的至少一个层的顶表面上的第一导电电极(106)；设置在介电材料的至少一个层的底表面上的第二导电电极(108)，其中配置第一电极和第二电极以将电荷转移至至少一个QCS，当配置电路以跨第一电极和第二电极提供电势时，该电势将转移的电荷从至少一个QCS排放至电路。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 超级 电容器 电子 电池 | ||
【主权项】：
一种固态能量存储设备，包括：a.至少一个量子限制物质(QCS)；b.至少一层介电材料，其中所述至少一个QCS纳入于所述介电材料的至少一个层中；以及c.设置在所述介电材料的至少一个层的顶表面上的第一导电电极以及设置在所述介电材料的至少一个层的底表面上的第二导电电极，其中所述第一电极和所述第二电极设置成将电荷转移至所述至少一个QCS，从而当电路设置成跨所述第一电极和所述第二电极提供电势时，所述电势将所转移的电荷从至少一个QCS排放至电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
