[发明专利]具有SiGe沟道的双高k氧化物

摘要

描述了一种用于在PMOS器件区域(112、113)中具有硅锗沟道层(21)的单一衬底(15)上集成双栅氧化物(DGO)晶体管器件(50、52)和核心晶体管器件(51、53)的方法和设备，其中，每个DGO晶体管器件(50、52)包括金属栅极(25)、由第二相对高的高k金属氧化物层(24)形成的上栅氧化物区域(60、84)和由第一相对低的高k层(22)形成的下栅氧化物区域(58、84)，并且其中，每个核心晶体管器件(51、53)包括金属栅极(25)和仅由第二相对高的高k金属氧化物层(24)形成的核心栅电介质层(72、98)。

主权项

一种半导体制造工艺，包括：提供晶片，所述晶片包括具有PMOS器件区域和NMOS器件区域的第一半导体层；至少在所述PMOS器件区域上形成压缩硅锗层；在所述压缩硅锗层上方选择性形成沉积的第一高k电介质层，其中，所述第一高k电介质层由第一电介质材料形成，所述第一电介质材料具有7.0或以上的第一介电常数值；在所述PMOS器件区域中的所述第一高k电介质层上方和在所述NMOS器件区域中的第一半导体层上方，沉积第二高k电介质层，其中，所述第二高k电介质层由第二电介质材料形成，所述第二电介质材料具有比所述第一介电常数值高的介电常数值；以及在所述第二高k电介质层上方沉积一个或多个栅电极层。