[发明专利]导电GaAs的晶体和衬底及它们的形成方法有效
| 申请号： | 201080005056.6 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102292477A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 樱田隆;川濑智博 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电GaAs晶体，其具有超过1×1017个/cm3的Si原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少30nm的析出物的密度为400个/cm2以下。在这种情况下，优选的是，所述导电GaAs晶体具有至多2×102个/cm2或至少1×103个/cm2的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 gaas 晶体 衬底 它们 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电GaAs晶体，其具有超过1×1017个/cm3的Si原子浓度，其中在所述晶体中包含的尺寸为至少30nm的析出物的密度为至多400个/cm2。
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